Madrid, 10 de diciembre de 2008 – Intel Corporation ha concluido la
fase de desarrollo de su proceso de fabricación de la siguiente generación que
va a reducir aún más el tamaño de los circuitos del procesador hasta los 32
nanómetros (siendo un namómetro la mil millonésima parte del metro). La
compañía se está preparando para iniciar la fase de producción de esta futura
generación en el cuarto trimestre de 2009, utilizando para ello transistores de
mayor densidad, rendimiento y eficiencia energética.

Intel va a ofrecer una gran cantidad de información técnica sobre la
tecnología de fabricación de 32 nm (entre otros asuntos) durante las
presentaciones que va a realizar en la Reunión Internacional sobre Dispositivos
de Electrones (International Electron Devices Meeting, IEDM)  la semana
que viene en San Francisco. La finalización de la fase de desarrollo de la tecnología
de fabricación de 32 nm y la preparación para la producción permiten a la
compañía seguir el ritmo de sus planes ambiciosos de fabricación y
comercialización de productos, conocidos como la estrategia “tick-tock” de
Intel.

Este plan gira en torno a la presentación de una microarquitectura de
procesador totalmente nueva, que se alterna con un proceso de fabricación
innovador aproximadamente cada doce meses, poniendo de manifiesto un esfuerzo
sin igual en el sector. La producción de procesadores de 32 nm el año que viene
permitiría a Intel lograr este objetivo por cuarto año consecutivo.

El documento y la presentación sobre la tecnología de Intel para fabricación
de 32 nm describen una tecnología lógica que incorpora la segunda generación de
puerta de metal high-k, litografía de inmersión de 193 nm para el diseño de
capas de patrones esenciales y la mejora de las técnicas para distribución de
transistores. Estas prestaciones mejoran el rendimiento y la eficiencia
energética de los procesadores de Intel. El proceso de fabricación de Intel
ofrece el máximo rendimiento y la mayor densidad de los transistores en
cualquier tecnología de 32 nm implementada en el sector. 

“Nuestra destreza en la fabricación y los productos resultantes nos
han servido de ayuda para ampliar nuestro liderazgo en rendimiento informático
y en duración de baterías para ordenadores portátiles, servidores y equipos de
sobremesa basados en tecnología de Intel”, ha afirmado Mark Bohr, Senior Fellow
de Intel y director de arquitectura e integración de procesos. “Tal y como
hemos mostrado este año, la estrategia de fabricación y la ejecución de los
planes nos han ofrecido la posibilidad de crear unas líneas de productos
totalmente nuevas para dispositivos móviles para Internet (MIDs), equipos de
electrónica de consumo, ordenadores embebidos y netbooks”.

Otros documentos que va a ofrecer Intel en el IEDM van a describir una
versión de sistema sobre chip de bajo consumo del proceso de 45 nm de Intel;
transistores basados en semiconductores compuestos; ingeniería de substratos
para mejorar el rendimiento de los transistores de 45nm; la integración del
proceso de pulido mecánico y químico para el nodo de 45 nm y superior e
integración de un conjunto de moduladores de fotónica de silicio.  
Intel participará también en unas jornadas sobre Tecnología de CMOS de 22 nm.

Acerca de Intel
Intel, el líder mundial en innovación de silicio, desarrolla tecnologías,
productos e iniciativas para mejorar continuamente la forma de trabajo y de
vida de las personas. Para más información, visite www.intel.es/pressroom
y http://blogs.intel.com
. 

Los productos de 45nm se fabrican con una técnica que no utiliza plomo. La
cantidad de plomo se sitúa por debajo de los 1000 PPM de la directiva EU RoHS
directiva (2002/95/EC, Anexo A). Se pueden aplicar algunas exenciones a la E.U.
RoHS sobre plomo a otros componentes utilizados en el encapsulado del producto.

Intel y
el logotipo de Intel son marcas registradas por Intel Corporation o sus
subsidiarias en los Estados Unidos y en otros países

ORIGEN : intel.com

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